如何降低组件电流失配时造成的功率损失

时间:2019-07-14 来源:www.whendoesopticplay.com

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由于元件功率和可靠性的双重改进以及高产量的成熟,半芯片技术已成为主流元件公司的标准产品。

在实际应用中,组件受到电池差异,辐射,遮挡,老化等的影响,这可能导致组件中的电流不匹配。双面电池的出现进一步使电流失配问题相对更严重。

实际上,当单片电池的短路电流发生变化时,元件的最大功率点会移动。并不是单片电池的短路电流减少了多少,相应的元件功率就会丢失。对于这种现象,我们分别建立了电路模型。分析了整个封装和半片组件的电流失配期间的功率损耗。

考虑的模型如下:72细胞(或144个半细胞)组分暴露于1000 W/m2,组分中一个细胞(或半细胞)的Isc变为正常值的95%,剩下的细胞是正常的。

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异常整体电池和半电池电性能参数的正常和Isc减少5%如下:

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在仿真软件中建立元件电路模型并引入电池电气参数,可以获得单电池异常对元件功率的影响(如下图所示),

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结果表明,单晶硅的Isc和Imp下降5%后,整个模块的Imp减少0.325%,半芯片元件的Imp减少0.239%,Vmp略有增加,使功率损耗分别为0.136%和0.073%。半件组件的不匹配损失仅为整个封装的约1/2。这是因为当前半件组件的上部和下部是平行的,并且峰值工作电流的下半部分变为上半部分。没有效果。

因此,即使在下半部分中存在多个电池,其中短路电流减小到正常值的95%,半芯片组件的功率损耗比也不会显着改变,并且半芯片组件具有相对于整体组件的电流阻抗不匹配的明显优势。